刍议SiO_2膜在IC工艺中的应用及其制备方法  

作　　者：余建[1] 张科新[1] 

机构地区：[1]常州信息职业技术学院电子与电气工程学院,江苏省常州市213164

出　　处：《电子技术与软件工程》2015年第19期257-259,共3页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：二氧化硅膜(Si O2)由于具有理想的绝缘性能以及其致密的结构,在IC制造工艺中,可用于多层互联线的隔离以及掺杂时的掩蔽阻挡,具有广泛的应用。本文简要介绍几种主要的Si O2的制备技术和应用,并探讨其新型的制备技术。

关 键 词：二氧化硅 绝缘 隔离 阻挡 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]