包覆MgO对BaTiO3基陶瓷介电性能的影响  

作　　者：张静 刘雨佳 袁梦鑫 

机构地区：[1]武警警官学院,四川成都610000

出　　处：《科教导刊（电子版）》2015年第30期155-155,共1页The Guide of Science & Education (Electronic Edition)

摘　　要：采用非均匀沉淀法将MgO均匀地包覆在BaTiO3基陶瓷粉体表面，制备包覆MgO的BaTiO3基陶瓷复合粒子。研究了不同包覆量对BaTiO3基陶瓷的介电性能的影响。实验发现：包覆剂MgO能有效抑制晶粒长大，从而获得晶粒均匀的陶瓷，此细晶效应是由于晶界区MgO的抑制作用；MgO有助于形成“壳－芯”结构晶粒，显著改善介电温度特性，使得BaTiO3基陶瓷的ε峰降低并展宽。

关 键 词：钛酸钡 氧化镁 包覆 “壳-芯”结构 

分 类 号：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业]