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机构地区:[1]南通大学理学院,江苏南通226007 [2]南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通226019
出 处:《电子元件与材料》2015年第10期1-5,13,共6页Electronic Components And Materials
摘 要:近年来,镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了MgxZn1–xO纳米材料的制备方法,并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。In recent years, extensive application of magnesium doping zinc oxide semiconductor nanomaterials is in transparent electronics, gas sensors, photocatalysis, etc. The fabrication methodologies of MgxZn1–xO nanomaterials are summarized, primarily. Subsequently, the possible problems in preparation process are investigated and solutions are put forth. Finally, there is an outlook about the application prospect of MgxZn1–xO nanomaterials in ultraviolet photoelectric detectors.
关 键 词:镁掺杂 制备方法 综述 紫外光电探测 氧化锌纳米材料 相分离 激光液相烧蚀
分 类 号:TB34[一般工业技术—材料科学与工程]
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