MgTiO_3掺杂对BST基电容器陶瓷介电性能的影响  

Influence of MgTiO_3 doping on dielectric properties of BST based capacitor ceramics

作　　者：林榕 黄瑞南 胡勇 谢冬桔 彭龙 梁嘉宝 黄新友[2] 

机构地区：[1]汕头高新区松田实业有限公司,广东汕头515041 [2]江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013

出　　处：《电子元件与材料》2015年第10期23-26,共4页Electronic Components And Materials

基　　金：广东省教育部产学研结合项目资助(No.2011B090400027)

摘　　要：采用固相法制备了MgTiO3掺杂的(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)陶瓷,研究了MgTiO3掺杂量对(Ba0.65Sr0.35)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响。结果表明:随着MgTiO3掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)、介质损耗(tanδ)和耐压强度(Eb)均先增大后减小。当MgTiO3掺杂量为质量分数0.8%时,BST陶瓷的综合介电性能较好:εr为4350,tanδ为0.0055,Eb为5.7×103V/mm(AC),容温特性符合Y5U特性。MgTiO3 doped （Ba0.65Sr0.35）TiO3 （BST） ceramics were prepared by solid state method. Influences of MgTiO3 doping amount on the dielectric properties and microstructure of BST capacitor ceramics were investigated. The results show that the dielectric constant （εr） of BST ceramics increases firstly and then decreases, the dielectric loss（tanδ） increases firstly and then decreases, the alternating current （AC） withstand voltage strength （Eb） increases firstly and then decreases when MgTiO3 doping amount increases. When the mass fraction of MgTiO3 doping amount is 0.8%, the BST ceramics possess good comprehensive properties：εr of 4 350, tanδ of 0.005 5,Eb of 5.7×103 V/mm（AC）. The capacitance temperature property is suited for Y5U.

关 键 词：陶瓷电容器 铁电体 MgTiO3掺杂 钛酸钡锶 介电性能 微观结构 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学] TQ174[化学工程—陶瓷工业]