单晶硅生长技术及氧缺陷控制方法  

作　　者：孙姝[1] 

机构地区：[1]宁夏建设职业技术学院,宁夏银川750021

出　　处：《中小企业管理与科技》2015年第30期272-272,共1页Management & Technology of SME

摘　　要：本文介绍了单晶硅的基本概念和用途,并对单晶硅的几种主要制备方法做了简单介绍。同时结合生产实际经验,对单晶硅中的主要杂质——氧,提出了几种控制方法。

关 键 词：单晶硅 生长技术 氧缺陷 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]