烧结温度对ZnO掺杂的KNN陶瓷微结构和压电性能的影响  

作　　者：廖庆佳 刘武涛[1] 黄文华[1] 熊定康[1] 黄宇阳[1] 邓文[1] 

机构地区：[1]广西大学物理科学与工程技术学院,广西南宁530004

出　　处：《广西物理》2015年第2期5-9,共5页Guangxi Physics

基　　金：国家自然科学基金项目(11264002;11265002)

摘　　要：以Zn O为烧结助剂,采用固相合成法制备了(K0.5Na0.5)Nb O3(缩写为KNN)压电陶瓷,研究了烧结温度对Zn O掺杂KNN陶瓷致密性、微结构以及压电性能的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,KNN陶瓷的压电常数d33、密度?和机电耦合系数Kp均先升高后降低,在1100oC时达到最大值;而试样的介电常数则随烧结温度的升高而增大。烧结温度过高(达到1120oC),将会引起Na、K的大量挥发和晶粒异常生长,使得其结构变疏松。当Zn O含量为0.5wt%、烧结温度为1100oC时,KNN陶瓷的密度达到了4.43g/cm3;其压电学性能达到最优:d33=113p C/N,tan?(1k Hz)=5.31%,Kp=0.35。

关 键 词：铌酸钾钠陶瓷(KNN) 烧结温度 微结构 压电性能 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]