电晕法制备抗PID多晶硅太阳电池  

作　　者：熊大明 孙杰 Thangaraj Baskara Pandian 万小强 龚海波 

机构地区：[1]江西瑞晶太阳能科技有限公司新余市光伏产品及应用工程技术研究中心

出　　处：《太阳能》2015年第10期32-33,51,共3页Solar Energy

摘　　要：使用电晕放电的方式产生臭氧,在多晶硅片镀氮化硅膜前对硅片进行氧化处理,硅片表面生长一层致密的二氧化硅膜。经过这样处理的电池片转换效率不受影响,制作的组件能通过双85环境测试,抗PID性能良好。摘要:

关 键 词：电晕放电 臭氧 PID效应 抗PID多晶硅电池 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]