基于噪声抵消技术的低噪声放大器的设计  

作　　者：荣华刚 徐兰[1] 李燕楠[1] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065

出　　处：《数字技术与应用》2015年第11期166-166,共1页Digital Technology & Application

摘　　要：本文采用SMIC0.18um CMOS射频工艺设计了基于噪声抵消技术的低噪声放大器(LNA),并通过仿真验证。仿真结果显示,该低噪声放大器具有良好的噪声性能特性,噪声最低小于1.5d B在宽频带内整体噪声小于5d B,以及良好的S参数,S21最高增益大于20d B,S11和S22都小于-10d B,适合通信技术要求。

关 键 词：噪声抵消 低噪声放大器 CMOS射频 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]