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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:曹超[1] 马瑞[1] 朱樟明[1] 梁宇华[1] 叶谦[1]
机构地区:[1]西安电子科技大学微电子学院,陕西西安710071
出 处:《西安电子科技大学学报》2015年第6期61-65,87,共6页Journal of Xidian University
基 金:国家自然科学基金资助项目(61234002,61322405,61306044,61376033)
摘 要:对高精度逐次逼近型模数转换器的非理想因素进行理论推导和建模分析,表明模数转换器精度主要受电容失配和低位电容阵列及耦合电容的寄生电容影响,而高位寄生电容的影响可以忽略.建立了16位逐次逼近型模数转换器的高层次模型,验证了理论分析,并通过一种全数字的后台校准技术来减小电容失配和寄生电容的影响.仿真结果表明,校准后的有效位数在15位以上的概率超过90%.An analysis of capacitor mismatch in a high resolution successive approximation register (SAR) analog-to-digital converter (ADC) is described. The results show that the mismatch of capacitors and the parasitic capacitance in the LSB capacitor array have a significant influence on the resolution of ADC while the parasitic one in MSB array has little influence on the precision. A 16-bit SAR ADC high-level model is designed and a background digital calibration is proposed to calibrate the errors due to the mentioned sources. Simulation results indicate that the ENOB(Effective number of bits) after calibration is above 15 hit with a probability of more than 90%. The availability of this calibration method is verified, so it can be utilized to calibrate high-resolution SAR ADC.
关 键 词:高精度模数转换器 逐次逼近型模数转换器 电容失配 数字校准 高层次建模
分 类 号:TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]
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