Transforming bilayer MoS2 into single-layer with strong photoluminescence using UV-ozone oxidation  

作　　者：Weitao Su Naresh Komar Steve J. Spencer Ning Dai Debdulal Roy 

机构地区：[1]Institute of Materials Physics, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China [2]Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201, China [3]National Physical Laboratory, Hampton Road, Teddington, Middlesex, TWI 10LW, UK

出　　处：《Nano Research》2015年第12期3878-3886,共9页纳米研究（英文版）

摘　　要：The use of single-layer MoS2 in light emitting devices requires innovative methods to enhance its low photoluminescence （PL） quantum yield. In this work, we report that single-layer MoS2 with a strong PL can be prepared by oxidizing bilayer MoS2 using W-ozone oxidation. We show that as compared to mechanically-exfoliated single-layer MoS2, the PL intensity of the single-layer MoS2 prepared by W-ozone oxidation is enhanced by 20-30 times. We demonstrate that the PL intensity of both neutral excitons and trions （charged excitons） can be greatly enhanced in the oxidized MoS2 samples. These results provide novel insights into the PL enhancement of single-layer MoS2.在射出设备的光的单个层的瞬间 ₂ 的使用要求创新方法提高它的低光致发光(PL ) 量产量。在这个工作，我们报导有强壮的 PL 的单个层的瞬间 ₂ 能被氧化准备用紫外臭氧的氧化的 bilayer 瞬间 ₂ 。当与剥落得机械地的单个层的瞬间 ₂, 相比紫外臭氧的氧化准备的单个层的瞬间 ₂ 的 PL 紧张到 2030 次被提高，我们显示出那。我们证明中立激子和 trions (控告的激子) 的 PL 紧张能极大地在氧化瞬间 ₂ 样品被提高。这些结果提供新奇卓见进单个层的瞬间 ₂ 的 PL 改进。

关 键 词：single-layer MoS2 W-ozone oxidation photoluminescence enhancement tip-enhanced Raman spectroscopy 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学] X703[环境科学与工程—环境工程]