直拉法单晶硅生长的数值模拟和控制参数优化  

The Numerical Simulation and Control Parameters Optimization of the Growth of Czochralski Silicon Crystal

作　　者：王玉臣[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《电子工业专用设备》2015年第7期13-17,共5页Equipment for Electronic Products Manufacturing

摘　　要：采用有限体积元法软件Crys VUn对直拉法生长直径210 mm的硅单晶热场进行了模拟。后继加热器提高了晶体生长界面中心高度,对熔体温度梯度基本没有影响;热屏能改善晶体生长界面形状,使界面更加平滑,降低界面中心高度,并能降低熔体纵向温度梯度,得到更好的温度分布。A finite volume software Crysvun was used for the simulation of heat field distribution of φ210mm Si crystal. The successor heater raise the interface height in the center of the crystal and don＇t influence the axial temperature gradient. The heat shield can improve the interface shape of the crystal growth, make the interface more smooth, lower the interface height in the center of the crystal and lower the axial temperature gradient, causing better the heat field distribution.

关 键 词：数值模拟 单层热屏 加强型热屏 后继加热器 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]