一种极低功耗自偏置CMOS带隙基准源  

作　　者：吕阳[1] 王春雷[1] 朱杰[1] 邱成军[1] 

机构地区：[1]黑龙江大学电子工程学院

出　　处：《电子世界》2015年第23期67-69,共3页Electronics World

摘　　要：基于CMSC 0.18um CMOS工艺,设计了一种自偏置结构带隙基准源,利用自偏置结构能够省略启动电路。所有MOS管工作在亚阈值范围,电路总功耗能够降低到n A级。利用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果表明,电路最低工作电源电压为0.8V,在-40-80度之间,温度系数27ppm/℃。在温度27℃、电源电压0.8V时,输出基准电压为543m V,低频电源电压抑制比为90d B,高频为46d B,功耗仅为4.2n W,电路面积为0.05mm。

关 键 词：带隙基准源 低功耗 自偏置 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]