缓冲层结构微晶硅太阳能电池性能的研究  

Research on the Performance of Microcrystalline Silicon Solar Cells with the Buffer Layer

作　　者：陈跃宁[1] 张宏伟[1] 徐征[2] 李超 

机构地区：[1]辽宁大学物理学院,辽宁沈阳110036 [2]北京交通大学光电子技术研究所,北京100044 [3]辽宁电力中心医院,辽宁沈阳110015

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2015年第4期307-311,共5页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

基　　金：辽宁省教育厅基金(L2014003);国家重点基础研究发展计划(973计划)项目(2010CB327704);国家自然科学基金(51272022);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0220);教育部博士点基金(20120009130005);中央高校基本科研业务费专项资金(2012JBZ001)资助

摘　　要：采用在籽晶层与I层之间插入缓冲层的方法制备了一组微晶硅太阳电池,其结构式:AI/N层/I层/缓冲层/籽晶层/P层/Sn O2:Zn O/玻璃基底.通过测试表明,具有缓冲层的微晶硅电池的开路电压、短路电流.填充因子和转换效率明显好于无缓冲层的微晶硅电池,当1.6%硅烷浓度沉积籽晶层、3%硅烷浓度沉积缓冲层、5%硅烷浓度沉积I层时,获得微晶硅电池转换效率比无缓冲层高3.18%.A group of microcrystalline silicon solar cells w ith the buffer layer are fabricated.Their structure are the Glass / Sn O2： Zn O /P/seed /buffer/I/N /AI. The test showed that the open circuit voltage,short circuit current,fill factor and conversion efficiency of the microcrystalline silicon solar cells w ith buffer layer w as significantly better than no w ith buffer layer. When silane deposits on seed layer,buffer layer and I layer w ith the concentration of 1. 6%,3% and 5%respectively,the conversion efficiency of the microcrystalline silicon solar cell w ill be improved by3. 18%.

关 键 词：非晶孵化层 籽晶层 缓冲层 

分 类 号：TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]