Ge_2Sb_2Te_5不同晶相对相变存储单元RESET电流影响  

Influences of grain structures of Ge_2Sb_2Te_5 on the reset current of phase change memory cell

作　　者：王玉婵[1] 康杰虎[2] 王玉菡[3] 

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]重庆交通大学机电与车辆工程学院,重庆400074 [3]重庆理工大学电子信息与自动化学院,重庆400050

出　　处：《电子元件与材料》2016年第1期61-63,共3页Electronic Components And Materials

基　　金：国家重点基础研究发展计划(No.2013CBA01900;No.2010CB934300;No.2011CBA00607;No.2011CB9328004);国家集成电路重大专项(No.2009ZX02023-003);国家自然科学基金(No.61176122;No.61106001;No.61261160500;No.61376006);重庆理工大学星火计划项目(No.2014XH10);重庆邮电大学博士启动基金项目(No.A2015-38)

摘　　要：相变存储器(Phase Change Memory,PCM)的RESET电流是决定其功耗的最重要参数。基于相变材料Ge_2Sb_2Te_5(GST)的PCM单元,不同的SET条件下晶粒表现出两种不同的晶态结构,分别为立方晶相和六方晶相。针对这两种不同晶态结构的晶粒,应用数值模拟计算,对PCM单元的RESET电流进行研究,并将模拟结果与实际测试结果对比验证。结果表明:基于立方晶粒GST的PCM单元需要的RESET电流更小。The reset etaxent directly determines the power of phase change memory （PCM） in the whole operation. There are two different structures of the grains for Ge2Sb2Te5 （GST） based PCM cell under different set conditions. The structures are face centered cubic （FCC） and hexagonal （HEX）, respectively. The reset currents of the PCM cells and different GST grains with different crystalline structures were studied through a two-dimensional finite analysis. Comparing the simulation and actual test results, it can be found that the PCM cell based on GsT with FCC structure needs less reset current.

关 键 词：相变存储器 Ge2Sb2Te5 RESET 数值计算 立方晶相 六方晶相 

分 类 号：TN407[电子电信—微电子学与固体电子学]