1MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池变温光致发光研究  

Temperature dependent photoluminescence of the GaAs/Ge space solar cell after irradiation by 1MeV electrons

作　　者：郑勇[1,2] 肖鹏飞[1,2] 易天成 王荣[1,2,3] 

机构地区：[1]北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室,北京100875 [2]北京师范大学核科学与技术学院,北京100875 [3]北京市辐射中心,北京100875

出　　处：《北京师范大学学报（自然科学版）》2015年第6期568-570,共3页Journal of Beijing Normal University(Natural Science)

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10675023;11075018;11375028);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120003110011)

摘　　要：对1 MeV电子辐照GaAs/Ge太阳电池在30~290K温度范围进行了变温光致发光光谱测量,分析了辐照电池样品的发光峰位、发光强度随温度的变化.并用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得出了辐照太阳电池的非辐射复合中心分别为H2（EV＋0.41eV）和H3（EV＋0.71eV）.Temperature-dependent photoluminescence was measured to investigate non-radiative recombination centers for GaAs/Ge space solar cells after irradiation by 1 MeV electrons at temperatures from10 to 290 K.The photoluminescence-peak position moved leftwards and the photoluminescence intensity decreased with increasing temperatures.Two non-radiative recombination centers,H2（EV ＋0.41eV）and H3（EV＋0.71eV）,were determined from Arrhenius plots of the temperature dependent photoluminescence intensity.

关 键 词：GAAS/GE太阳电池 电子辐照 光致发光 非辐射复合中心 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]