氧化镍薄膜用于阻变存储器研究进展  

作　　者：周歧刚[1] 

机构地区：[1]乐山师范学院物理与电子工程学院,四川乐山614004

出　　处：《有色金属文摘》2015年第6期130-131,共2页Nonferrous Metals Abstract

基　　金：乐山师范学院科研项目资助(Z1408)

摘　　要：电脉冲诱发材料电阻可逆变化(EPIR)效应,即对薄膜施加电脉冲可以在室温下观察到体系电阻的可逆变化。利用EPIR效应可以制造新型的基于电阻变化的非挥发性存储器来代替制作工艺已经接近物理极限的闪存技术。本文介绍了应用于电阻式内存材料的技术挑战、关键问题以及具有EPIR效应的氧化镍(Ni Ox)薄膜用于阻变存储器研究进展。

关 键 词：EPIR效应 电阻切换 电阻式内存 

分 类 号：O48[理学—固体物理]