银纳米线阵列对RhB荧光性能的影响  

Influcence of Ag Nanowires Oriented Film on the Fluorescence Properties of RhB

作　　者：冯晋阳[1] 吴灿[1] 茅海波[1] 马晓[1] 曹汉林[1] 陶海征[1] 赵修建[1] 

机构地区：[1]武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室,湖北武汉430070

出　　处：《稀有金属材料与工程》2016年第S1期137-140,共4页Rare Metal Materials and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(51372180);硅酸盐建筑材料国家重点实验室自主创新项目(47142019);教育部博士点基金(20130143130002);湖北省重大科技创新计划(2013AEA005)

摘　　要：通过提拉成膜法制备了银纳米线阵列,以罗丹明B(RhB)染料分子为荧光发光基体,研究了银纳米线阵列对罗丹明B荧光性能的影响。结果表明:金属银纳米线阵列薄膜中的银纳米线定向分布状态、银纳米线分散浓度以及偏振激发光入射状态都会对RhB荧光性能产生影响。Ag nanowires oriented film has been obtained by a stretching technique. Influcence of Ag nanowires oriented film on the fluorescence properties of Rh B has been studied. The results show that the factirs, including orientation degree of Ag nanowires in the film, the dispersant concentration of Ag nanowires and the incident direction of polarized excitation light, will influence the fluorescence properties of Rh B.

关 键 词：银纳米线阵列 荧光效应 罗丹明B 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] O614.122[理学—无机化学]