黄铁矿(FeS_2)薄膜制备和掺杂改性的研究进展  被引量:1

Research Progresses on Deposition and Doping Techniques of FeS_2 Thin Films

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作  者:龙飞[1,2] 神征 莫淑一[1] 邹正光[1,2] 

机构地区:[1]桂林理工大学材料科学与工程学院,广西桂林541004 [2]桂林理工大学有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西桂林541004

出  处:《半导体光电》2015年第6期857-862,共6页Semiconductor Optoelectronics

基  金:国家自然科学基金项目(51162005);广西自然科学基金杰出青年基金项目(2012GXNSFFA060007)

摘  要:立方晶系的黄铁矿型FeS_2薄膜具有高的吸收系数,并且其组成元素储量丰富,无毒,环境相容性好,有望成为新一代薄膜太阳电池吸收层材料。介绍了FeS_2的光学特性并详细阐述了FeS_2薄膜的制备方法和各工艺方法的特点,叙述了FeS_2掺杂改性方面的一些重要研究进展。FeS2thin film with high absorption coefficient is considered to be one of the most promising materials of low-cost thin-film solar cells.And also its component is abundant and show notably non-toxic characteristics.In this paper,the properties and the preparation methods of the FeS2 thin films were discussed.The development of doped-FeS2 thin films was also introduced.

关 键 词:FeS2 黄铁矿 薄膜 制备 掺杂 

分 类 号:TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]

 

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