黑硅微结构光敏二极管  

Black Silicon Microstructure Photodiodes

作　　者：王文革 李华高[2] 龙飞[2] 李睿智[2] 李平[2] 张昌丽[2] 李益[2] 

机构地区：[1]海军装备部驻重庆地区军事代表局,重庆400060 [2]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》2015年第6期892-894,共3页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率提高了65%。Black silicon shows higher absorption in 0.25～2.5μm wavelength range as compared to flat silicon.To improve NIR sensitivity and response speed of silicon photodiodes,an metal-assisted chemical etching（MCE）was used to form ＂black silicon＂microstructures on the backside surface of photodiodes.At 1 064 nm,the photoresponsivity of the photodiodes reaches up to 0.518A/W and the quantum efficiency is 65% higher than that of conventional diodes.

关 键 词：金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]