Doppler程序对金红石型TiO_2的空位缺陷研究  

Study of rutile TiO_2 vacancy defects by Doppler program

作　　者：李瑞琴[1] 李东翔[1] 

机构地区：[1]安顺学院数理学院,安顺561000

出　　处：《原子与分子物理学报》2016年第1期175-178,共4页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：贵州省教育厅自然科学研究项目(黔教合KY字(2015)449号);安顺学院2015年度青年项目(2015AQ02)

摘　　要：金红石型Ti O2是一种非常好的稀磁半导体材料,其自身的本征缺陷与室温铁磁性起源密切相关.本文利用Doppler程序在广义梯度理论(GGA)的基础上,计算了正电子在金红石型Ti O2块材中不同缺陷处的湮没寿命.主要包括自由态正电子的湮没寿命,单空位和双空位处束缚态正电子的湮没寿命.并从理论上给出了含有空位缺陷时金红石型Ti O2的符合多普勒展宽能谱.Rutile TiO2 is a good dilute magnetic semiconductor material. Its magnetism is closely related to the intrinsic defects. In this paper, Doppler program based on the generalized gradient theory （GGA） is used to cal- culate the positron annihilation lifetimes of different defects, including the annihilation lifetimes of freedom elec- tron states and annihilation lifetimes of different types of vacancies （ single slot and double slot）, in bulk rutile TiO2. Furthermore, Doppler broadening spectra of rutile TiO2 containing vacancy defects are given theoretically.

关 键 词：Doppler程序 湮没寿命 符合多普勒展宽能谱 

分 类 号：O484[理学—固体物理]