MgO对K_2O-Al_2O_3-SiO_2系陶瓷微波介电性能的影响  

Effect of MgO on Microwave Dielectric Properties of K_2O-Al_2O_3-SiO_2 Ceramics

作　　者：胡龙虎[1] 丁士华[1] 宋天秀[1] 肖鹏[1] 张瑶[1] 刘杨琼 

机构地区：[1]西华大学材料科学与工程学院,四川成都610039

出　　处：《西华大学学报（自然科学版）》2016年第1期35-39,共5页Journal of Xihua University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金(11074203);四川省教育厅资助项目(14ZB126);教育部春晖计划资助项目(Z2009-1-61009);西华大学研究生创新基金(ycjj2014049;ycjj2014046;ycjj2014050)

摘　　要：采用传统固相反应法制备添加不同质量分数（0～4％）MgO的K2O-Al2O3-SiO2体系低介电微波陶瓷，利用SEM、XRD、Agilent4284等测试手段，讨论加入MgO对K2O-Al2O3-SiO2相系的结构、显微组织、烧结温度及介电性能的影响。结果表明：添加MgO能有效降低K2O-Al2O3-SiO2体系的烧结温度，且室温下介电常数低，介电损耗小；1MH：下，添加质量分数2％MgO的样品在1150℃烧结后介电常数最小，为4．271，在1250℃烧结后介电损耗最小，为0．0049。we prepared low dielectric constant microwave dielectric ceramics （ system of K2O-Al2O3-SiO2 ） doped MgO in the way of solid state reaction, discussed the effect of MgO on the system of K2O-Al2O3-SiO2about phase structure, micro - structure, Sintering temperature and Dielectric properties by SEM, XRD and Agilent4284. The result show that MgO could lower sintering tempera- ture,and the samples are low dielectric constant and low dielectric loss at room temperature. At the frequency of 1 MHz, the sample doped with 2 （wt）% MgO has the lowest dielectric constant sintered at 1 150 ℃, and the lowest dielectric loss sintered at 1 250 ℃.

关 键 词：K2O-Al2O3-SiO2 固相反应法 低介电常数 

分 类 号：TQ174[化学工程—陶瓷工业]