35 T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究  被引量:1

Magnetoresistance of cernox and ruthenium oxide thermometer in 35 T magnetic fields

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作  者:孟秋敏[1,2,3] 

机构地区:[1]中国科学院合肥物质科学研究院,合肥230031 [2]中国科学技术大学,合肥230026 [3]中国科学院理化技术研究所低温工程学重点实验室,北京100190

出  处:《低温工程》2016年第1期11-13,46,共4页Cryogenics

基  金:中国科学院低温工程学重点实验室开放基金(CRY0201420)项目资助

摘  要:以Cernox(CX-1050、CX-1030)和氧化钌(RX-202、RX-102)温度传感器为研究对象,研究了其在0—35 T场强、0.75—69.5 K温区下的磁致电阻效应。实验结果表明:CX-1050和RX-202的磁效应和在35 T下的测量误差都随温度的变化出现正负磁效应和正负温度误差交替的现象,且低于10 K时,磁效应随温度的变化率明显增大,在35 T、4.2 K处CX-1050和RX-202的磁效应分别为-6.63%、2.21%;总体来说强磁场下受磁阻影响由小到大分别为RX-202、CX-1050、CX-1030、RX-102,尤其RX-202,在1—35 T、4.2 K以下产生的测量误差小于-0.1 K。Cernox和氧化钌温度传感器受磁场的影响都较小。The magnetoresistance of Cernox( CX-1050 and CX-1030) and Ruthenium Oxide( RX-202 and RX-102) thermometer in temperature range of 0. 75—69. 5 K under the magnetic fields up to 35 T was investigated. Both the temperature error at 35 T and magnetoresistance of CX-1050 and RX-202 appear to be plus and minus alternately with the change in temperature. The change rate of magnetoresistance increases obviously with the temperature below 10 K. The magnetoresistance of CX-1050 and RX-202 is- 6. 63% and 2. 21% respectively at 35 T and 4. 2 K. The influence of magnetoresistance on the temperature error of RX-202 is minimal,followed by CX-1050,CX-1030 and RX-102. The temperature error of RX-202 is less than- 0. 1 K at 1—35 T below 4. 2 K. As a whole,the magnetic field effect for Cernox and Ruthenium Oxide thermometer is insignificant.

关 键 词:Cernox 氧化钌 强磁场 磁致电阻效应 

分 类 号:TB657[一般工业技术—制冷工程] TB66

 

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