基于栅极控制的IGBT关断过电压研究  

Investigation of IGBT over-voltage suppression based on gate control

作　　者：尹新[1] 陈功[1] 沈征[1] 帅智康[1] 唐开毅 

机构地区：[1]湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙410082

出　　处：《电源技术》2016年第3期680-683,共4页Chinese Journal of Power Sources

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51277060)

摘　　要：由于线路中杂散电感以及IGBT反并联二极管浪涌电压的影响,IGBT在关断过程中会产生过电压尖峰。通过对IGBT关断过程的分析,提出了一种新的IGBT过电压抑制方法,并通过pspice仿真以及实验验证了新的过电压抑制方法的正确性和优势。Since the effect of stray inductance and IGBT anti-parallel diode surge voltage, IGBT would produce over-voltage overshoot in shutdown process. A new IGBT over-voltage suppression method based on the analysis of IGBT turn-off process was proposed. Based on the pspice simulation and experimental result, this new over-voltage suppression method was verified accuracy and advantage.

关 键 词：杂散电感 IGBT 过电压 

分 类 号：TM714.2[电气工程—电力系统及自动化]