Al-N共掺ZnO:Co纳米薄膜的制备及其性能研究  

作　　者：金哲明 孙可心[1] 杨芳淼 谭明月 姚成宝[1] 孙文军[1] 

机构地区：[1]哈尔滨师范大学光电带隙材料教育部重点实验室黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室,黑龙江哈尔滨150000

出　　处：《科技创新与应用》2016年第10期7-9,共3页Technology Innovation and Application

摘　　要：利用共溅射技术在石英玻璃衬底上沉积前驱体氮化物,在真空优于4×10-4Pa时、对前驱体氮化物分别在450℃、550℃、650℃温度下热氧化45min后获得Al-N共掺杂Zn O:Co薄膜,利用XRD分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构,氧化温度为650℃结晶质量最好;使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在热氧化温度为450℃、550℃、650℃下制得的薄膜样品带隙分别为3.18、3.06、3.10e V;利用振动样品磁强计对样品的磁性进行测试,结果表明样品在室温下具有铁磁性,当热氧化温度为450℃时,磁学性能最好。

关 键 词：共溅射 热氧化 Al-N共掺 光学带隙 磁学特性 

分 类 号：TQ171.112[化学工程—玻璃工业]