高纯钽板中晶粒生长的取向相关性研究  

Study on the orientation-dependent grain growth of high purity tantalum

作　　者：柳亚辉 刘施峰[1] 范海洋[1] 刘庆[1] 

机构地区：[1]重庆大学材料科学与工程学院

出　　处：《电子显微学报》2016年第1期17-21,共5页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家科技重大专项资金资助项目(No.2011ZX02705);重庆市科委自然科学基金计划资助项目(No.2012jj A50023)

摘　　要：钽溅射靶材主要用于集成电路中导线的扩散阻挡层,其溅射性能受微观组织影响较大。本文采用电子背散射衍射(EBSD)技术,结合Extend Cahn-Hagel模型对周向轧制钽板的再结晶行为进行分析。并侧重于钽板再结晶初、中期与取向相关的晶粒生长速率的研究。结果表明,{111}〈uvw〉(〈111〉//ND)晶粒具有生长优势,初始阶段生长速率约为同期{001}〈uvw〉(〈100〉//ND)晶粒的1.6倍。Tantalum is commonly used for sputtering target and the sputtering performance is highly dependent on its annealed structure. In this paper,the orientation-dependent grain growths at the early and metaphase recrystallization stages were revealed via the electron backscatter diffraction combined with Extend Cahn-Hagel model. The results show that the growth rate for { 111} 〈uvw〉（ 〈111〉/ /ND） grains is about 1. 6 times faster than that for { 001} 〈uvw〉（ 〈100〉/ /ND） grains.

关 键 词：形核机制 电子背散射衍射(EBSD)技术 EXTEND Cahn-Hagel模型 生长速率 

分 类 号：TG146.416[一般工业技术—材料科学与工程] O766.1[金属学及工艺—金属材料]