电感耦合等离子体发射光谱法测定一氧化硅中的杂质元素  

作　　者：叶淑爱[1] 

机构地区：[1]厦门出入境检验检疫局检验检疫技术中心,福建厦门361026

出　　处：《化学工程与装备》2016年第3期183-185,共3页Chemical Engineering & Equipment

摘　　要：近年来随着科技发展,一氧化硅作为一种半导体光学材料得到了广泛的应用,其生产过程中产生的杂质会影响一氧化硅的品质,造成应用效果不佳,因此检测一氧化硅中杂质元素的含量具有重要意义。本文通过挥硅法建立电感耦合等离子体原子发射光谱法测定一氧化硅中杂质元素的方法,实验结果表明该方法精密度高,准确度好,检出限低,能快速准确检测杂质元素的含量,应用于实际样品的检测取得了满意的结果。

关 键 词：一氧化硅 电感耦合等离子体原子发射光谱法 

分 类 号：O657.31[理学—分析化学] TQ127.2[理学—化学]