铕掺杂ZnO纳米棒的生长及其光电性能的研究  

Fabrication of Eu-doped ZnO nanorods and the mechanism of photoelectric property

作　　者：于琦[1] 姜立运[1] 艾桃桃[1] 李文虎[1] 张营堂[1] 冯小明[1] 王维[1] 

机构地区：[1]陕西理工学院材料科学与工程学院,陕西汉中723000

出　　处：《陕西理工学院学报（自然科学版）》2016年第2期1-5,共5页Journal of Shananxi University of Technology:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51502166);陕西省教育厅科学研究计划项目(15JK1157);陕西理工学院科研基金资助项目(SLGQD14-11)

摘　　要：利用水热法在硼掺杂金刚石膜上生长铕(Eu)掺杂Zn O纳米棒(Zn O:Eu),其形貌与Eu的掺杂量密切相关。掺杂0.01 mol/L Eu时对Zn O纳米棒生长影响较小,随着掺杂浓度的增加,Zn O纳米棒顶部出现"尖端聚集现象",这种聚集现象是和纳米棒制备过程中电荷积累相关的,稀土元素能提供更多的电荷,使Zn O纳米棒顶端产生强的局部电场,相近纳米棒尖端会聚集一起。制作了以p型金刚石为衬底生长的Zn O:Eu异质结,并对其电学性能深入研究,实验结果表明该异质结对整流特性有良好反应。The europium（ Eu） doped zinc oxide nanostuctures have been prepared on diamond by hydrothermal method. When the concentration is 0. 01 mol / L,the nanowires turn to be ＂Cutting-edge gathered＂phenomenon,which attribute to ocal electric field effect. We can propose the Zn O nanowires are in the tip electric field. The morphologies of the Zn O： Eu NRs are related to the Eu-doping level. The Eu doped Zn O nanostructures on diamond heterojunctions are constructed,and the result shows a typical rectifying current voltage behavior.

关 键 词：ZNO EU掺杂 ZnO:Eu/p型金刚石异质结 整流特性 

分 类 号：TB321[一般工业技术—材料科学与工程]