磁控共溅射制备AGZO薄膜及性能分析  

作　　者：刘结[1] 景晨蕾 唐武[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054

出　　处：《科技创新与应用》2016年第12期294-294,共1页Technology Innovation and Application

摘　　要：采用两靶共溅射的方法,分别采用GZO靶材及Al靶材,在不同的Al靶材溅射时间下制备AGZO薄膜。测试分析了不同Al靶溅射时间下,AGZO薄膜晶体结构、成分及相关性能的变化。其中当铝靶溅射时间为5分钟时制得的薄膜具有最优性能。

关 键 词：共溅射 AGZO薄膜 结构 电阻率 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]