石墨相氮化碳改性技术的研究进展  

Progress in modification technology of graphitic carbon nitride

作　　者：焦玉娟[1] 曹慧[1] 耿仁勇 潘璐[1] 吕雪川[1] 高肖汉[1] 

机构地区：[1]辽宁石油化工大学化学化工与环境学部化学与材料学院,辽宁抚顺113001

出　　处：《现代化工》2016年第4期23-28,共6页Modern Chemical Industry

基　　金：国家自然科学基金项目(21003069;21103078);辽宁石油化工大学环境科学与工程学科创新团队([2014]11号)

摘　　要：从发展半导体可见光催化活性材料的角度,对近年来国内外石墨相氮化碳改性技术进展和成果进行分类总结,包括掺杂改性技术、半导体复合改性技术、比表面积调控改性技术等方面;并且阐述了改性氮化碳的光催化机理,最后展望了石墨相氮化碳改性技术的未来发展趋势。The main achievements of modified technologies for graphitic carbon nitride in recent years are reviewed,including doping with heteroatoms,coupling with semiconductors and surface modification. The catalytic mechanism for the modified graphitic carbon nitride is analyzed and discussed. Moreover,the prospects of modification technology for graphitic carbon nitride are also predicted.

关 键 词：石墨相氮化碳 改性 掺杂 半导体复合 光催化 

分 类 号：TQ426[化学工程]