基于QD-SOA的全光逻辑或非门研究  

Study of All-optical Logic NOR Gate Based on QD-SOA

作　　者：张国[1] 王海龙[1] 李雯[1] 崔乐乐[1] 

机构地区：[1]曲阜师范大学物理工程学院,山东省曲阜市273165

出　　处：《电子技术（上海）》2016年第4期43-46,共4页Electronic Technology

摘　　要：基于量子点半导体光放大器(QD-SOA)的交叉增益调制效应(XGM)实现了逻辑或非门。对比度(CR)、码型效应(PE)和消光比(ER)是衡量逻辑或非门性能的重要指标,通过对这些指标分析可以获得最佳的输入泵浦光功率和探测光功率。采用牛顿法和四阶龙格-库塔法求解速率方程和光场传输方程,计算了不同泵浦光功率和探测光功率下输出对比度CR、码型效应PE、消光比ER的值。结果表明,选择适当的泵浦光功率和探测光功率可以完善逻辑或非门的性能。The logic nor gate has been realized based on the effect of cross gain modulation（XGM） of quantum-dot semiconductor optical amplifier（QD-SOA）. The contrast ratio（CR）, pattern effect（PE） and extinction ratio（ER） are important parameters that influence the properties of logic nor gate. The optimum input pump power, probe power can be obtained by analyzing these parameters. Newton＇s method and the fourth-order runge-kutta method are utilized to solve the rate equations and light field transfer equations. The contrast ratio（CR）, pattern effect（PE）, extinction ratio（ER） are calculated under different pump power and probe power. Results show that selecting the appropriate pump power and probe power can improve the performance of logic nor gate.

关 键 词：量子点半导体光放大器(QD-SOA) 交叉增益调制(XGM) 对比度(CR) 码型效应(PE) 消光比(ER) 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]