辉光放电质谱法测定高纯铪中的痕量元素  

Trace elements detection in purity Hf by glow discharge mass spectrometry

作　　者：黄瑾[1] 郑清洪[2] 

机构地区：[1]中国科学院福建物质结构研究所,福建福州350002 [2]福建农林大学材料工程学院,福建福州350002

出　　处：《福建分析测试》2016年第3期14-18,共5页Fujian Analysis & Testing

基　　金：2014年国家自然科学基金青年项目(NO.61306065);2015年福建省自然科学基金资助项目(NO.2015J05133)

摘　　要：采用辉光放电质谱法,直接测定高纯Hf中的痕量元素。通过对仪器调谐,优化了工作参数,并对测试过程中产生的多原子离子干扰进行仔细考察,得到较为理想的测试结果。当元素含量在ug/g水平时,测量的相对标准偏差(RSD)小于10%。Impurities concentration in purity Hf was detected by glow discharge mass spectrometry. By tuning operation, pa- rameters of instruments were optimized. The polyatomic ions generated during the measurement were carefully investigated and a good test result was obtained. The value of RSD is less than 10% when the component content in the level of ug/g.

关 键 词：辉光放电质谱法 高纯铪 多原子离子干扰 

分 类 号：O657.63[理学—分析化学]