一种PTAT的MOS温度传感电路的设计与实现  被引量:1

The design and implementation of a PTAT MOS temperature sensing circuit

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作  者:殷万君[1] 武建寿 郑君 祝建科[1] 

机构地区:[1]四川信息职业技术学院,四川广元628017 [2]张掖市华光太阳能有限公司,甘肃张掖734000

出  处:《电子设计工程》2016年第9期110-112,共3页Electronic Design Engineering

基  金:四川省教育厅自然科学重点项目(15ZA0380);四川省教育厅自然科学一般项目(15ZB0467);甘肃省科技厅科技支撑计划(1204GKCG059)

摘  要:温度传感器的研究趋势是提高测温精度和分辨率、增加测试功能、规范接口标准、提高可靠性和安全性。国际上新型温度传感器正从模拟式向数字式、从集成化向智能化和高精度、低功耗、高集成度的方向发展。为了提高温度传感器的线性度,设计采用了PTAT电路,实现了温度-电压转换效率高、线性度好、测温准确、功耗低的要求。The research trend of temperature sensor is to improve the temperature measuring accuracy and resolution, increase test function, standard interface standards, improve the reliability and security. International new type of temperature sensor is from analog to digital, from integration to the intelligence and the direction of high precision, low power consumption, high integration. In order to improve the linearity of the temperature sensor, the design adopts the PTAT circuit, has realized the temperature, high voltage conversion efficiency and good linearity, temperature measurement accuracy, low power consumption requirement.

关 键 词:PTAT 温度 电压 线性度 

分 类 号:TN752[电子电信—电路与系统]

 

参考文献:

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