一种改善双极集成电路放大系数的工艺技术  

作　　者：简崇玺 姜楠 周福虎 高博 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2016年第1期33-35,共3页

摘　　要：为解决带有氮化硅薄膜工艺的BJT与JFET兼容的双极型集成电路横向PNP管和纵向PNP管放大系数衰减的技术难点，对此类电路的工艺现状进行分析并对工艺途径进行优化改善，在淀积氮化硅工艺前增加预刻孔工艺，释放氮化硅介质薄膜应力，使其与双极电路的特性相匹配，有效预防PNP管放大系数的衰减，提高了PNP管放大系数的稳定性。

关 键 词：双极电路 PNP管 放大系数 应力 预刻孔 

分 类 号：TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]