掺杂氧化锌薄膜的红外激光感生电压效应研究进展  

Review of Photovoltaic Effect Induced by Infrared Laser based on Doped Zinc Oxide Thin Film

作　　者：赵嵩卿[1,2,3,4] 张际蕊 杨睿[1,2,3,4] 施宏杰[1,2,3,4] 刘义[1,2,3,4] 白兴[1] 杨立敏[1] 

机构地区：[1]中国石油大学(北京)理学院,北京102249 [2]光传感与光探测实验室中国石油大学(北京),北京102249 [3]油气光学探测技术北京市重点实验室中国石油大学(北京),北京102249 [4]油气太赫兹波谱与光电检测重点实验室 中国石油和化工行业联合会,北京100725

出　　处：《现代科学仪器》2016年第2期13-17,共5页Modern Scientific Instruments

基　　金：国家自然科学基金资助课题,项目编号：60877038;中国石油大学（北京）创新班教改项目资助.

摘　　要：作为第三代半导体的典型代表之一，氧化锌在光电探测器领域也有广泛应用。处于禁带内的缺陷能级会给氧化锌的光学和电学性质带来变化。掺杂会使得缺陷能级发生进一步的变化，导致氧化锌薄膜的光电性质发生变化。本文综述了基于硼、银和钴掺杂氧化锌薄膜材料上发现的红外激光感生电压效应的研究进展，其中包括了光生电压随入射激光位置和角度发生变化的变化规律。由此得到，掺杂氧化锌薄膜可以用做红外激光探测。As one of the typical representative of the third generation semiconductors, ZnO are widely used in the field of photo-detecting. The defect level in the forbidden band will bring about changes in the optical and electrical properties of ZnO. Doping with other elements will cause more changes in the defect level, resulting, in rich changes of photoelectric properties of ZnO thin films. This paper reviews the recent developments of infrared laser induced photovoltaic effects based on boron, silver and cobalt-doped zinc oxide thin film materials, including experimental research on the variation ofphotovoltage with the position and angle of the incident laser.

关 键 词：氧化锌 掺杂 红外激光探测器 位置和角度 

分 类 号：O434.3[机械工程—光学工程]