荧光染料掺杂的高效率、高亮度白色OLEDs  

High Efficiency and Luminance White OLEDs Based on Fluorescence Dopant

作　　者：张刚[1] 刘艳梅[1] 李敏[1] 高红岩[1] 康志杰[1] 高永慧[1] 赵丽娜[1] 

机构地区：[1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000

出　　处：《吉林师范大学学报（自然科学版）》2016年第2期26-29,共4页Journal of Jilin Normal University:Natural Science Edition

基　　金：吉林省科技发展计划项目(201215221);四平市科技发展计划项目(2015055);吉林师范大学大学生创新项目(国家级G2015)

摘　　要：利用真空蒸镀的方法,制备了结构为:ITO/m-MTDATA(20 nm)/NPB(10 nm)/Rubrene(0.2 nm)/DPVBi:BCzVBi(x nm,10%)/Alq_3(20 nm)/Cs_2CO_3:Ag_2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了掺杂层的不同厚度(x=20,25和30)对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.电流密度为285.064 m A/cm^2时,器件B获得最大亮度为13 560 cd/m^2,同时获得最大电流效率,为4.76 cd/A.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移很充分.The OLED devices were fabricated with the sturcture of ITO / m-MTDATA（ 20 nm） / NPB（ 10 nm） /Rubrene（ 0. 2 nm） / DPVBi： BCzVBi（ x nm,10%） / Alq_3（ 20 nm） /Cs_2CO_3： Ag_2O（ 2 nm,20%） / Al（ 100 nm）by using the method of vacuum evaporation. The performances of the devices were studied by adjusting the the different thickness（ x = 20,25 and 30） of the dopant layer（ DPVBi： BCz VBi）. When the thickness is 25 nm,the performance of the device is the best. The maximum luminous efficiency is 4. 76 cd / A and the maximum luminance is 13 560 cd / m^2 when the current density is 285. 064 m A / cm^2. The energy transfer between the host and the guest is so sufficient that the devices have the high luminance and efficiency.

关 键 词：性能 效率 亮度 能量转移 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]