金掺杂碳纳米管薄膜的制备及电学性能研究  

Study on the preparation and electrical properties of gold-decorated carbon nanotube films

作　　者：师恩政 徐文静[1] 吴诗婷[1] 曹安源[1] 

机构地区：[1]北京大学工学院,北京100871

出　　处：《中国科技论文》2016年第4期363-366,共4页China Sciencepaper

基　　金：高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20120001110076)

摘　　要：采用浮动催化剂化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。通过在碳纳米管薄膜表面负载1层厚度为5nm的金,进而利用王水蒸汽进行掺杂,CNT薄膜的导电性得到了很大提高（提高幅度达100%~400%）;掺杂后的碳纳米管薄膜在空气下经过较长时间放置后,同初始状态相比,导电性仍然能保持在200%以上的增幅,表现了很好的电学稳定性。Herein,carbon nanotube（CNT）films are prepared by floating-catalyst chemical vapor deposition（FCCVD）method.By decorating 5nm-thick gold onto CNT film and subsequent nitromurlatic acid doping,the electrical conductivity of CNT film was largely improved by 100%-400%.Meanwhile,compared to the original state,the electrical conductivity increment of the doped CNT film,even being placed in the air for long time,is still above 200%,demonstrating good elctrical stability.

关 键 词：纳米材料与技术 碳纳米管 透明导电薄膜 金 

分 类 号：TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]