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机构地区:[1]长治医学院药学系,长治046000 [2]山西师范大学化学与材料科学学院,临汾041004
出 处:《原子与分子物理学报》2016年第3期463-469,共7页Journal of Atomic and Molecular Physics
摘 要:采用密度泛函理论下广义梯度近似方法,对Mn掺杂Ge基半导体团簇Ge_nMn(n≤8)的结构与磁性进行了理论研究.结果表明:Ge_nMn(n≤8)的最稳定构型与相应的Ge_(n+1)团簇相似.Mn掺杂后团簇的原子平均结合能与纯锗团簇比较近似;能量二次差分表明:Ge_3Mn和Ge_5Mn团簇较相邻团簇表现出较高的稳定性;当n=1,3和6时,HMO-LUMO能隙较大,n=2时,能隙较小,说明GeMn、Ge_3Mn和Ge_6Mn具有相对较好的化学稳定性,而Ge_2Mn具有较高的化学活性.对Ge_nMn(n≤8)团簇的磁性研究发现,除Ge_8Mn的总磁矩为1μB外,其他团簇的总磁矩均为3μB,且团簇的磁性主要来源于Mn原子.The electronic structures and magnetic properties of GenMn( n≤8)clusters have been investigated by using the density functional theory (DFT) with the generalized gradient approximation (GGA). The most stable geometries of GenMn( n≤8)are similar with those of Gen+ 1 clusters. The second- order energy differences show that : Ge3Mn and Ge6 Mn clusters have batter stabilities than the neighbor clusters. When n = 1,3 and 6, the HOMO -LUMO gaps are big, whereas that of Ge2 Mn cluster is smallest, suggesting that it has higher chemical activity than others. All the clusters exhibit 3 μB total magnetic moments except for GesMn clusters.
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