安森美半导体进一步扩展IGBT系列推出基于第三代超场截止技术的1200V器件  

出　　处：《电源技术应用》2016年第5期I0005-I0005,共1页Power Supply Technologles and Applications

摘　　要：2016年5月10日一推动高能效创新的安森美半导体（ON Semicoductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出新系列绝缘栅双极晶体管（IGnBT），采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3W徽计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。

关 键 词：安森美半导体 IGBT 技术 第三代 绝缘栅双极晶体管 器件 工作性能 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程]