用于DDR、QDR和QDR—IVSRAM的超薄型三路输出gModule稳压器可安放在0．5cm2面积内和PCB的背面  

出　　处：《电子产品世界》2016年第7期I0002-I0003,共2页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：QDR-IV实现了QDR（四倍数据速率）SRAM的最高RTR（随机事务处理速率），可为高带宽网络、高性能计算和密集型数据处理应用提供高达400Gbps的数据传输。在这些较快数据速率下的一项主要挑战是保持在SRAM与高速FPGA和处理器等器件之间传输数据的完整性。

关 键 词：QDR 三路输出 DDR PCB 稳压器 超薄型 背面 面积 

分 类 号：TN452[电子电信—微电子学与固体电子学]