半绝缘GaAs半导体开关的传输特性研究  

Research on Output Performance of Semi- insulating GaAs Photoconductive Switch

作　　者：薛红[1] 

机构地区：[1]渭南师范学院数理学院,陕西渭南714099

出　　处：《渭南师范学院学报》2016年第12期31-35,共5页Journal of Weinan Normal University

基　　金：陕西省自然科学基金项目:强场作用Ga As载流子输运机理及THz辐射技术研究(2013JM8013);陕西省军民融合研究规划项目:高功率THz光电导偶极天线的设计(16JMR06);渭南师范学院科研基金项目:面向渭南环境安全监测的强THz源机理研究(15YKS007);渭南师范学院特色学科建设项目:光电检测技术与秦东工业(14TSXK06)

摘　　要：通过实验及理论分析,对半绝缘GaAs(SI-GaAs)光电导开关的光电性能和传输特性进行了研究。在不同的偏置电压条件下,开关将输出两种不同模式的电脉冲并存在振荡效应,认为:导致输出电脉冲振荡效应的主要原因是光电导振荡现象;当外界光电条件一定,开关电极间隙越小,输出电脉冲上升时间越短,输出功率越大。为了提高开关的上升时间和输出功率,必须使光电导开关工作在饱和状态。Based on the experimental and theoretical analysis,the photoelectric properties and output performance of semi- insulating Ga As（ SI- Ga As） photoconductive switch are detailedly studied. Under different DC bias voltage conditions,the photoconductive switch will output two kinds electric pulse of different modes and there is oscillation effect; under certain conditions of photoelectric condition,the output electric pulse rise time is short and the output power is bigger when the electrode gap of photoconductive switch is more; the photoconductive switch must be in the saturation state in order to improve the rise time and the output power of the photoconductive switch.

关 键 词：光电导开关 电脉冲 振荡效应 功率 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]