高能氦粒子对N型磷掺杂硅半导体辐照效应的模拟研究  

作　　者：刘方舒[1] 

机构地区：[1]攀枝花学院材料工程学院,四川攀枝花617000

出　　处：《攀枝花学院学报》2016年第A01期114-115,122,共3页Journal of Panzhihua University

基　　金：攀枝花学院博士启动基金"提钒尾渣制备纳米光热材料的应用基础研究"(0210600033)

摘　　要：利用SRIM模拟软件对硅太阳能电池板的减反射膜和N型磷掺杂硅半导体进行了氦粒子辐照模拟实验,实验可知10Me V高能氦粒子对减反射膜几乎不会产生大的损伤,对减反射膜辐照损伤是长期的累积效应。高能氦粒子的辐照损伤主要集中在N型磷掺杂硅半导体内部,这种内部损伤是个短期内快速累积效应。每个辐照氦粒子会在硅半导体材料内部把自身的能量释放出来,导致硅半导体材料内部发生离化现象,造成损伤,这种损伤包括原子离位、原子反冲、原子替换、空位的形成等,会产生平均空位率为394个空位,产生的粒子平均离位率为427个离位原子,会导致大量原子发生级联碰撞。

关 键 词：SRIM 模拟实验 辐照 减反射膜 硅半导体 

分 类 号：O64[理学—物理化学]