碳化硅粒度对修整陶瓷金刚石研磨盘的影响  

Effect of SiC size on dress ceramic diamond lapping disc

作　　者：孙鹏辉[1] 闫宁[1] 李学文[1] 赵盟月[1] 韩欣[1] 李鹤南[1] 赵兴昊 

机构地区：[1]郑州磨料磨具磨削研究所有限公司,超硬材料磨具国家重点实验室,郑州450001

出　　处：《金刚石与磨料磨具工程》2016年第3期65-68,共4页Diamond & Abrasives Engineering

摘　　要：为研究碳化硅粒度对陶瓷金刚石研磨盘的修整效果的影响,使用不同粒度的碳化硅修整环对粒度为M20/30的陶瓷金刚石研磨盘进行修整,分析修整后陶瓷金刚石研磨盘的表面形貌、耐用度、加工效率等。结果发现:在修整参数为上盘转速12r/min,下盘转速12r/min,内环转速12r/min,预压力0.2MPa的条件下,用240#碳化硅修整环(碳化硅粒度尺寸61μm)进行修整,其出刃高度与金刚石颗粒的间距相当,修整后的磨盘锋利度最好、表面保持性最好。The effect of grit size on dressing performance of SiC ring when dressing ceramic diamond lapping disc is studied.SiC dressing rings with different grit sizes are tested to dress M20/30 ceramic diamond discs.Surface topography,durability,and process efficiency of the discs are analyzed.Results show that lapping discs dressed with 240#SiC performs best sharpness and surface topography,when dressing parameters are up disc speed of 12r/min,down disc speed of 12r/min,inner ring speed of 12r/min and pre-pressure of 0.2 MPa.

关 键 词：修整环 陶瓷金刚石研磨盘 碳化硅粒度 

分 类 号：TQ164[化学工程—高温制品工业] TG74[金属学及工艺—刀具与模具]