硅像素探测器读出芯片的设计  

Design of Readout Chip for Silicon Pixel Detector

作　　者：樊磊[1,2,3] 魏微[1,2] 王铮[1,2] 刘湘[1,2,3] 刘刚[1,2] 

机构地区：[1]核探测与核电子学国家重点实验室,北京100049 [2]中国科学院高能物理研究所,北京100049 [3]中国科学院大学,北京100049

出　　处：《原子能科学技术》2016年第7期1296-1300,共5页Atomic Energy Science and Technology

基　　金：国家自然科学基金资助项目(1123501346)

摘　　要：针对应用在高能物理实验的硅像素探测器,设计了一种基于时间过阈技术的像素阵列读出芯片。芯片采用商用的130nm CMOS工艺进行流片,共有30×10个像素单元,像素单元的面积为50μm×250μm。测试结果表明,像素单元电路的等效噪声电荷低于100e^-,积分非线性优于4.2%,基本实现了设计的功能。A readout chip based on the time over threshold technology was designed for silicon pixel detector used in high energy physics experiment.The chip was taped out with a 130 nm CMOS technology.There are 30×10pixel units in one chip,and the size of one pixel unit is 50μm×250μm.Test results show that the equivalent input noise of the pixel unit circuit is less than 100e^- and the integral non-linearity is better than4.2%.The basic functions are realized.

关 键 词：硅像素探测器 读出芯片 时间过阈技术 

分 类 号：TL82[核科学技术—核技术及应用]