氮化物外延生长在线监测技术  

In-Situ Monitoring Technology for Growth of Ⅲ Nitrides by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

作　　者：王超[1] 张泽展 陈磊[1] 王飞[1] 胡俊[1] 梁莹林[1] 姜晶[1] 杨萍[1] 马铁中 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都611731 [2]北京智朗芯光科技有限公司,北京昌平区102206

出　　处：《电子科技大学学报》2016年第4期650-658,共9页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：四川省科技计划(2014GZ0151;2016JQ0022);中央高校基本科研业务费(ZYGX2013J115)

摘　　要：金属有机化学气相沉积外延技术(MOCVD)是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术,是大规模生产第三代半导体光电子、微电子器件的重要方法,也是制备半导体异质结、超晶格、量子阱等低维结构的主要手段。第三代半导体材料的飞速发展对MOCVD设备提出了更高的要求,MOCVD在线监测技术作为控制生长过程的前提,面临更多的挑战。该文综合介绍和比较了当今各种MOCVD在线监测技术的发展情况,并对MOCVD在线监测技术中的关键技术——红外测温、生产信息、曲率测量、光致发光做出简要介绍和看法。Metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） is a vapor-phase epitaxial growth technology that transports metal by using metal organic compound. It is the most important method for large-scale manufacturing the third generation of semiconductor such as photonics and microelectronics devices. It is also the main method for preparing low-dimensional structures like semiconductor heterojunction, superlattices and quantum wells. The in-situ monitoring is a key for successful equipment manufacture. This paper gives brief introduction material deposition, which brings challenges to the and Comparison of the newest in-situ monitoring technologies in recent years, and describes the key technologies like temperature monitoring, growth rate monitoring, curvature measurement and photoluminescence （PL）.

关 键 词：曲率测量 生长信息 红外测温 MOCVD在线监测技术 光致发光 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]