600V和650VMOSFET提高了可靠性并减小封装电感  

出　　处：《今日电子》2016年第8期66-66,共1页Electronic Products

摘　　要：这3颗采用小尺寸POwerPAKSO-8L封装的N沟道器件-SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E更省空间，其中600VSiHJ8N60E和1650VSittJ6N65E、SiHJ7N65E可替代TO-252（DPAK）封装的MOSFET，具有高可靠性和小封装电感，可用于照明、工业、电信、

关 键 词：表面贴装 气体放电管 浪涌 瞬变 敏感型 首款 系列产品 单腔 消费应用 电子设备 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]