正弦型硅薄膜在拉伸下的应变分析  

The strain analysis of sine film which made of silicon

作　　者：俞天 张威[1] 张若愚[1] 

机构地区：[1]扬州大学机械工程学院,江苏扬州225127

出　　处：《农业装备技术》2016年第4期50-53,共4页Agricultural Equipment & Technology

基　　金：国家自然科学基金项目:柔性电子器件中波纹状界面的力学行为表征与破坏机理研究(项目编号:11372269)

摘　　要：运用workbench有限元仿真软件对硅薄膜在拉伸状态的应变进行分析,分别得出波峰波谷的最大和最小应变,并观察应变分布情况,比较不同处波峰波谷的应变值。Measure the strain of thin film which made of silicon in the stretched state . obtain the maximumand minimum strain of peaks and valleys respectively and the distribution of strain .Then compare the strainof different peaks and valleys

关 键 词：薄膜屈曲 PDMS 有限元仿真 应变分布 

分 类 号：O484.2[理学—固体物理]