表面修饰和电场对氮化镓薄膜电学性质的调控机理研究  

作　　者：肖美霞[1] 辛海涛[2] 姚婷珍[1] 

机构地区：[1]西安石油大学材料科学与工程学院,陕西西安710065 [2]西安电子工程研究所,陕西西安710100

出　　处：《科技资讯》2016年第5期23-25,共3页Science & Technology Information

基　　金：陕西省教育厅科研基金(项目编号:2013JK0894);西安石油大学博士科研启动基金(项目编号:2012BS004);西安石油大学"材料科学与工程"省级优势学科(项目编号:312010005)资助的课题

摘　　要：采用第一性原理模拟方法研究表面修饰和电场对氮化镓纳米薄膜电学性质的影响。对于表面镓原子和氮原子分别进行氢化、氟化或氯化得到的氮化镓纳米薄膜(A-Ga N-B),当层厚相同时,Cl-Ga N-H和Cl-Ga N-Cl薄膜的能隙较小,而H-Ga N-H和F-Ga N-F薄膜的能隙较大。当层厚增加时,相同表面修饰的氮化镓纳米薄膜能隙将逐渐减小,最终由半导体转变为导体。当施加垂直电场时,薄膜能隙将依赖于电场方向呈现线性增加或者降低。该研究结果将会为氮化镓纳米材料应用于纳米电子器件提供重要的理论指导。

关 键 词：氮化镓纳米薄膜 能隙 表面修饰 电场 第一性原理 

分 类 号：O48[理学—固体物理]