Electronic Structures and Thermoelectric Properties of Two-Dimensional MoS2/MoSe2 Heterostructures  

二维Mos2／Mose2异质材料的电子结构和热电性质研究

作　　者：吴天敏[1] 徐瑞雪[1] 郑晓[1] 庄巍[2] 吴天敏;徐瑞雪;郑晓;庄巍(中国科学技术大学,合肥微尺度物质科学国家实验室筹,合肥230026;中国科学院福建物质结构研究所,结构化学国家重点实验室,福州350002)

机构地区：[1]中国科学技术大学,合肥微尺度物质科学国家实验室筹,合肥230026 [2]中国科学院福建物质结构研究所,结构化学国家重点实验室,福州350002

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》2016年第4期445-452,I0001,共9页化学物理学报（英文）

摘　　要：Thermoelectric properties of bulk and bilayer two-dimensional （2D） MoS2/MoSe2 het- erostructures are investigated using density functional theory in conjunction with semi- classical Boltzmann transport theory. It is predicted that the bulk 2D heterostructures could considerably enhance the thermoelectric properties as compared with the bulk MoSe2. The enhancement originates from the reduction in the band gap and the presence of interlayer van der Waals interactions. We therefore propose the 2D MoS2/MoSe2 heterostructures as a possible candidate material for thermoelectric applications.

关 键 词：HETEROSTRUCTURES Thermoelectric property Density functional theory Boltz-mann transport theory 

分 类 号：O4[理学—物理]