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作 者:高金金[1] 严进一[1] 柳庆博[1] 赵旺鹏 荣春朝 龚谦[1]
机构地区:[1]中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050
出 处:《光电子.激光》2016年第9期903-907,共5页Journal of Optoelectronics·Laser
基 金:国家自然科学基金(61176065,61321492)资助项目
摘 要:实现了一种工作在连续波(CW)模式下InAs/InP(100)外腔量子点激光器(EC-QDL)。激光器采用小型化的Littrow外腔结构,中心波长为1.6μm且输出光方向固定。在室温条件下,对InAs/InP(100)量子点外腔激光器进行了一系列性能测试。实验结果表明,器件的单模大范围波长调谐达56.5nm,覆盖波长从1 566.9到1 623.4nm,获得30GHz的无跳模连续调谐范围,在中心波长1.6μm附近单模输出功率达8 mW,并在无跳模连续调谐范围内获得了30dB以上的边模抑制比(SMSR)。The dimension of quantum dot lasers (QDL) is not well distributed with low thres hold current and broad gain profile,so the broadband tunable QDL is easier to realize .In this paper,we demonstrate a grating external cavity (EC) InAs/InP(100) QDL based on InAs/InP quantum dot Fabry-Perot laser diode.In addition,we characterize this EC InAs/InP QDL,including the stabi lity of single mode lasing, the tuning range of single-mode lasing,the threshold current density,the continuous mode-hop-free tuning range and the output power.This EC InAs/InP QDL follows Littrow configuration,operating in continuous-wave (CW) mode at 1.6μm with a fixed output beam.The EC-QDL ex hibits coarse single mode tuning range of 56.6nm and a continuous mode-hope free fine tuning range of 30GHz.Optical output power of 8mW can be obtained near the center wavelength of 1.6μm and more than 30dB side mode suppression ratio in the mode-hop free fine tuning range is also realized.
关 键 词:量子点激光器(QDL) 外腔 光栅 边模抑制比(SMSR)
分 类 号:TN242[电子电信—物理电子学]
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