基于Mg2Si薄膜的异质结研究现状  

作　　者：念刘飞 余宏[1] 周筑文[1] 徐林[2] 谢泉[3] 

机构地区：[1]贵州师范学院物理与电子科学学院 [2]贵州师范学院贵州省纳米材料模拟与计算重点实验室 [3]贵州大学大数据与信息工程学院

出　　处：《电子世界》2016年第17期87-87,共1页Electronics World

基　　金：the National Natural Science Foundation of China(51503048);the Construction Project of Key Laboratories from the Education Department of Guizhou Province(No.QJHKY[2015]329);the grant of Guizhou Normal College(107003001455);贵州省光电功能材料设计与模拟特色重点实验室(黔教合KY[2014]217);贵州省等离子体与功能薄膜材料科研创新团队简介(黔教合人才团队字[2014]38);贵州师范学院科研基金资助项目研究成果;国家自然科学基金项目(61264004);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004;[2013]7003);贵州省教育厅"125"重大科技专项项目(黔教合重大专项字[2012]003)

摘　　要：1.前言在半导体材料的应用范围越来越广的同时,由于其含有大量的有毒有害物质而被广泛关注,这时作为环境友好型材料的Mg2Si薄膜就应运而生了。Mg2Si由于其储量丰富且廉价,还具备了耐腐蚀、无污染、抗氧化、无毒无害、能与传统的Si工艺兼容等优势,被广而深地分析研究,经过了近几年的努力研究,不断地有新的研究成果出现,如在其光学特性和电子结构的计算领域。因此,对Mg2Si薄膜异质结等内容进行研究。

关 键 词：异质结 MG2SI 半导体材料 光学特性 言在 玻璃基片 结构材料 热蒸发法 电子结构 电池材料 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]